半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)

熱刺激理論是在介質(zhì)物理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，研究這一理論的方法即熱刺激法比較簡(jiǎn)單實(shí)用而且又能較準(zhǔn)確地測(cè)量出某些物質(zhì)（如電介質(zhì)、絕緣材料、半導(dǎo)體、駐極體等）的微觀(guān)參數(shù)，熱刺激法是一面對(duì)材料升溫一面進(jìn)行測(cè)量，即非等溫測(cè)量。由于材料（例如介電材料）中的荷電粒子的微觀(guān)參數(shù)（如活化能h、松弛時(shí)間τ等）不同，用熱刺激法就很容易將材料中的各種不同h或τ的荷電粒子分離開(kāi)來(lái)，從而求出各自的參數(shù)。因?yàn)闊岽碳る娏髋c材料的這些參數(shù)（如h與τ）密切相關(guān)，故它是一種研究介電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料等的有效手段。tsc是指當(dāng)樣品受到電場(chǎng)極化后，去掉電場(chǎng)，熱激時(shí)，樣品從極化態(tài)轉(zhuǎn)變到平衡態(tài)的過(guò)程中，在外電路中得到的電流，稱(chēng)為熱激退極化電流。

一個(gè)系統(tǒng)就可以進(jìn)行塊體陶瓷材料的熱激發(fā)極化電流TSDC、電阻和鐵電進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)，設(shè)備可以遠(yuǎn)程接入華測(cè)遠(yuǎn)程服務(wù)平臺(tái)，可針對(duì)用戶(hù)應(yīng)用和要求的硬件升級(jí)服務(wù)，對(duì)用戶(hù)遠(yuǎn)程指導(dǎo)及技術(shù)支持

特點(diǎn)：

支持的硬件：

內(nèi)置或外置的高壓放大器（+/-100V到+/-10 kV）

塊體陶瓷樣品夾具

溫度控制器和溫度腔

測(cè)試功能：

熱釋電測(cè)試

漏電流測(cè)試

疲勞測(cè)試

用戶(hù)定義激勵(lì)波形

半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)原理：

介質(zhì)材料在受熱過(guò)程中建立極化態(tài)或解除極化態(tài)時(shí)所產(chǎn)生的短路電流?；痉椒ㄊ菍⒃嚇訆A在兩電極之間，加熱到一定溫度使樣品中的載流子激發(fā)，然后施加一個(gè)直流的極化電壓，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間使樣品充分極化，以便載流子向電極漂移或偶極子充分取向，隨后立即降溫到低溫，使各類(lèi)極化“凍結(jié)"，然后以等速率升溫，同時(shí)記錄試樣經(jīng)檢流計(jì)短路的去極化電流隨溫度的變化關(guān)系，即得到TSDC譜“凍結(jié)"，然后以等速率升溫，同時(shí)記錄試樣經(jīng)檢流計(jì)短路的去極化電流隨溫度的變化關(guān)系，即得到TSDC譜

系統(tǒng)應(yīng)用：

廣泛應(yīng)用于電力、絕緣、生物分子等領(lǐng)域，用于研究材料的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。

主要技術(shù)參數(shù)：

極化電壓：±0-10kV（最大電壓）

極化電流：10fA~20mA

控溫精度：±0.5℃

測(cè)量精度：0.05%

升降溫速率快：0.01~ 30 ℃/min

溫度范圍寬：- 185 ~ 500 ℃

升降溫速率快：(0.01 ~ 30)℃/min

多種獨(dú)立變量：溫度、極化電壓、極化時(shí)間、升降溫速率等

多種測(cè)量模式：

熱激勵(lì)去極化、熱激勵(lì)極化、等溫極化時(shí)域、等溫電導(dǎo)率時(shí)域、等溫弛豫譜等

多種測(cè)量參數(shù)：樣品電流、電流密度、電荷變化、介電常數(shù)變化等

通訊：USB接口