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  • 半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-17

    型號:

    瀏覽量:1620

    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實現(xiàn)高的精度溫控,高屏蔽干擾信號的循環(huán)熱風加熱方式,在高速加熱及高速冷卻時,具有均勻的溫度分布。 可實現(xiàn)寬域均熱區(qū),高速加熱、高速冷卻 ,加熱箱體整體密封,無氣氛污染。
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  • HC-TSC功率器件有機材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSC功率器件有機材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    功率器件有機材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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  • 電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)
    電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)

    更新時間:2025-05-21

    型號:

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    電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令,單片機控制FPGA發(fā)出測量波形,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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  • MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)
    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)

    更新時間:2025-05-21

    型號:

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    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令,單片機控制FPGA發(fā)出測量波形,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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  • 高電場介電、損耗、漏電流測試系統(tǒng)
    高電場介電、損耗、漏電流測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-30

    型號:

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    高電場介電、損耗、漏電流測試系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令,單片機控制FPGA發(fā)出測量波形,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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  • SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-23

    型號:SIR-450

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    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測量的一個關(guān)鍵測量手段。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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