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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電多通道極化裝置鐵電分析儀高壓功率放大器絕緣電阻率測(cè)試儀高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀電壓擊穿測(cè)定儀耐電弧試驗(yàn)儀探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)

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華測(cè)新型電纜絕緣空間電荷測(cè)量系統(tǒng)，它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為?？臻g電荷觀測(cè)正在成為評(píng)估直流絕緣應(yīng)用(尤其是高壓電纜)中的聚合物材料測(cè)試時(shí)，使用廣泛的技術(shù)。
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Huace HV-10壓電陶瓷塊體多通道極化裝置

更新時(shí)間：2024-12-12

型號(hào)：Huace HV-10

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壓電陶瓷塊體多通道極化裝置，采用華測(cè)儀器自主研發(fā)的超低紋波、線性高壓直流電源、更科學(xué)穩(wěn)定的加熱電極，并配合計(jì)算機(jī)控制實(shí)現(xiàn)的多功能極化的裝置。
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華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)

更新時(shí)間：2024-12-12

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華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)，是一種能夠在高真空環(huán)境下進(jìn)行精確測(cè)量和實(shí)驗(yàn)的設(shè)備。其基本原理是利用真空環(huán)境下的物理現(xiàn)象和特性，對(duì)樣品進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)和測(cè)量。在高真空環(huán)境中，氣體分子很少，這有助于減少空氣阻力、空氣振動(dòng)和其他干擾因素，從而獲得較為準(zhǔn)確和可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
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儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/靜電電壓

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儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-12

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儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可進(jìn)行電壓擊穿（介電場(chǎng)強(qiáng)）、高低頻介電頻譜、溫譜、高溫絕緣電阻、熱釋電測(cè)試、TSDC熱刺激極化電流、充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試、電聲脈沖法空間電荷測(cè)量、靜電電壓等。
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溫控探針臺(tái)冷熱臺(tái)測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-10-31

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溫控探針臺(tái)冷熱臺(tái)測(cè)試儀器，通過(guò)杠桿式支架，使用的是彎針探針。相比傳統(tǒng)的直針探針，這種設(shè)計(jì)不僅點(diǎn)針準(zhǔn)確，而且點(diǎn)針力度大，和樣品的電接觸性較好。
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HC系列半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-11

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)，熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。
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華測(cè)-高壓漏電起痕測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2025-06-06

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華測(cè)-高壓漏電起痕測(cè)試儀器配合電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓漏電起痕試驗(yàn)是在工頻電壓下,通過(guò)液體污染和傾斜試樣評(píng)定,在環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐級(jí)升壓漏電起痕電壓法。
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