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新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

更新時(shí)間:2019-03-22      點(diǎn)擊次數(shù):2207

新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

5測量程序

5.1  測量條件

5.1.1 環(huán)境溫度為 23±5℃ ,相對濕度不大于65%.

5.1.2 電磁屏蔽。

5.1.3 高阻試樣應(yīng)在光屏蔽條件下測量。

5.1.4 試樣中電場強(qiáng)度不能過大,以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng),則用該電流的兩倍或一半時(shí),引起電阻率的變化應(yīng)小于0. 5%

5.2   確定探針間距與探針狀態(tài)

5.2.1 將四探針以正常壓力壓在嚴(yán)格固定的拋光硅片表面上,形成一組壓痕.提起探針,在垂直于探針尖連線方向上移動硅片表面或探針0. 05~0.10 mm,再將探針壓到硅片表面上,重復(fù)上述步驟,直到獲得10組壓痕。

注:建議在兩組或3組壓痕后,將硅片表面或探針移動上述距離的兩倍,以幫助操作者識別壓痕屬于哪一組。

5.2.2 將硅片表面清洗,用空氣干燥。

5.2.3將此具有壓痕的硅片表面置于工具顯微鏡的載物臺上,使y軸的讀數(shù)(圖6中的yB和yA )相差不大于0.150mm,把在工具顯微鏡中的10組壓痕A到H的x軸讀數(shù)記錄在表中,到1μm.

5.2.4   在放大倍數(shù)不小于 400倍的顯微鏡下檢查壓痕。

5.2.5  按6.1條計(jì)算探針間距S,平均探針間距S.標(biāo)準(zhǔn)偏差o;和探針系數(shù)C。

5.2.6   對于合格的探針,必須滿足下述條件。

5.2.6.1 對于S,來說,3組10次測量值的每一組樣品標(biāo)準(zhǔn)偏差a,應(yīng)小于S的0. 30%

5.2.6.2 S1,S2和S3的差應(yīng)不大于 2%.

5.2.6.3 每根探針的壓痕應(yīng)只出現(xiàn)一個(gè)接觸面,大直徑線度小于100μm.如果有的壓痕出現(xiàn)不連續(xù)的接觸面,則換探針并重新測量。

5.2.6.4 在放大倍數(shù)為 400倍的顯微鏡下檢驗(yàn)時(shí),在與硅片表面的接觸面上出現(xiàn)明顯的橫向移動的探針是不合格的。該探針系統(tǒng)必須重新調(diào)整,以防止上述移動。

 

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